RN1119MFV(TPL3)

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

RN1119MFV(TPL3) datasheet

• Маркировка
  RN1119MFV(TPL3)
• Производитель
  TOSHIBA Semiconductor
• Описание
  TOSHIBA Semiconductor RN1119MFV(TPL3) Current - Collector (ic) (max): 100mA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: VESM Power - Max: 150mW Resistor - Base (r1) (ohms): 1K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500?µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V
• Количество страниц
  5 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet RN1119MFV(TPL3).pdf
Файл формата Pdf 127,73 KB